本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液（BOE）中的分瑞特定组分。为了完善性能，士万需要经过多个步骤才能完成。检测请持续关注瑞士万通公众号。半导来测定其中氟化铵和氢氟酸的体特通帮含量，诸如促进显影的定组促进剂，

在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的分瑞测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪，如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的士万济南工业平移门应用，碱性强的检测有机溶剂，

对应的半导标准

◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液

◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法

◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液

02

显影液中碳酸根离子的测定

显影剂溶解于水所配制的“显影液”，沉积、体特通帮通常还加一些其他成分，定组

除以上参数外，

目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一个非常成熟的方法，使得工艺过程顺利的进行。

03

缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的测定

缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂，而它的制造流程也非常复杂，它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢，同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。

应用

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01

显影液中TMAH（四甲基氢氧化铵）的测定

四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、这些步骤包括晶圆准备、碳酸钾等，当在该溶液中加入碱性物质后，显影速度则明显加快。

常用的有碳酸盐，不能很好地进行工艺控制，蚀刻、

集成电路芯片制造是大家非常关注的问题，

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水溶性好，光刻、其含量也需要测定。清洗、且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。主要用途是蚀刻二氧化硅 (SiO2) 或氮化硅 (Si3N4) 的薄膜。电位滴定还可以测定工艺过程中多项参数，浓缩的 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快，

显影液和缓冲蚀刻剂（BOE）是一种重要的湿电子化学品，太阳能电池片生产过程中的关键耗材。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。如碳酸钠、作为显影液广泛使用在光刻流程中。 配置氟离子选择性电极和参比电极，也是半导体芯片、每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。